这款PFC设备采用BARBI拓扑结构设计,性价比高、性能强大,且简单易用
中国上海,2023年6月2日 –安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW 模拟无桥功率因数校正(PFC)设备,采用BARBI拓扑结构设计。
BARBI是一种创新型无桥功率因数校正(PFC)拓扑结构,可提高电源转换效率和功率密度。 它仅使用两个MOSFET作为同步整流器即可实现更高效率,无需借助由4个米乐 M6米乐二极管组成的传统桥式整流器。尽管采用无桥设计,BARBI仍然可以通过模拟控制器进行控制,而无需使用复杂的晶体管驱动电路,这是因为其开关仅由米乐 M6米乐LS栅极驱动器驱动。
EVL4986A-1KWBL演示板采用双升压拓扑结构(BARBI)设计。它是一款无桥PFC预稳压器,具有1kW输出功率(400Vdc)、90Vac至265Vac的宽输入电压范围。该演示板基于新型L4986A峰值电流模式CCM功率因数控制器,可作为高达1kW的前端转换器,符合IEC61000-3-2和JEITA-MITI标准。
EVL4986A-1KWBL演示板板载意法半导体的多款特色产品,包括L4986 CCM PFC控制器、STW69N65M5功率MOSFET、STPSC12065 SiC二极管以及PM8834双LS栅极驱动器。这些组件适用于需要高效率、出色功率密度和卓越性能的各种应用。
同时,该演示板还板载伍尔特电子的750319521 PFC升压电感器、WCAP-FTBE和WCAP-FTX2薄膜电容器,以及WE-CMBNC共模电力线扼流圈。这些组件旨在满足功率因数校正拓扑结构的高效要求,可提供卓越的EMC性能、自我修复属性和共模噪声宽带抑制。
EVL4986A-1KWBL演示板可用于工业和医疗开关电源、高功率LED照明设备、消费电子设备和服务器电源。L4986控制器则可为各种运行环境提供高效率和低THD性能,且组件更少,是各种电力电子应用的理想之选。
客户现可通过Farnell(欧洲、中东和非洲)、Newark(北美地区)和e络盟(亚太地区)购买EVL4986-1KWBL演示板,可快速供货。
关键字:编辑:张工 引用地址:e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC
2023 年 6 月 14 日,中国 —— 意法半导体的 IPS8160HQ 和 IPS8160HQ-1高边开关具有八路功率输入输出,采用尺寸紧凑的QFN48L封装,还附加很多安保诊断功能。 驱动大负载和自动售货机单向电机通常使用PLC控制模块,IPS8160HQ和IPS8160HQ-1这种独特的功能组合可以让PLC控制模块节省空间,提高工作可靠性 。其他应用场景包括工厂自动化设备I/O外设、计算机数控(CNC)机器,以及单侧接地的电阻、电容和电感负载控制器。两个开关管的导通电阻 (RDS(on))均为160毫欧(在25ºC时的典型值),低导通电阻有助于最大限度地降低耗散功率。 每个通道都有自己的过载 (OVL)保
八路输出高边开关,在紧凑的封装内整合丰富的保护诊断功能 /
2023年6月14日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出 基于意法半导体(ST)STM32G431芯片的小体积300W BLDC电机控制方案。 图示1-大联大友尚基于ST产品的小体积300W BLDC电机控制方案的展示板图 随着人们节能环保的意识不断提升,BLDC电机作为一种高效、环保、智能化的驱动技术,正逐渐成为各种电动化工具的的主流选择。在这种趋势下,大联大友尚推出了基于ST STM32G431 芯片的小体积300W BLDC电机控制方案,该方案有助于提高电动设备的能源效率,从而实现节能减排的目标。 本方案通过使用 STM32G431 撰写PMSM控制算法,并采
产品的小体积300W BLDC电机控制方案 /
提供十年长期供货保证,推动工业物联网发展 1260 hPa和4060 hPa双量程绝对压力气压计,数字输出,Qvar®检测技术,防水封装 测量精度高,耐候性出色,适用于燃气表、水表、天气监测、空调和家用电器 2023年6月13日,中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)在工业市场上推出了首款 MEMS 防水/防液绝对压力传感器 ,纳入十年供货保证计划。 意法半导体 AMS MEMS 子产品部总经理 Simone Ferri 表示:“随着工业物联网的发展普及,企业正在寻求在整个运营过程中,通常是在具有挑战性的室内外环境中采集数据。我们最新
推出业内首个MEMS防水压力传感器 /
意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂,进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产 该合资厂将有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日益增长的需求 三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬造厂,以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日, 中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;),和中国化合物半导体龙头企业(涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品)三安光电今日宣布,双方已签署协议,将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。 新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始
财报显示,安富利及e络盟业绩持续强劲增长,且安富利本季度销售额达65亿美元 中国上海,2023年6月8日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟母公司安富利(纳斯达克股票代码:AVT)发布截至2023年4月1日的第三季度财报。财报显示,安富利本季度销售额达65亿美元,超过了公司指导范围上限。 财报还显示,安富利本季度营收为3.13亿美元,环比增长4.9%,同比增长14.3%。 其中,e络盟业务贡献了4.55亿美元销售额,实现全球销售额环比增长11.5%,且当季营业利润率保持了9%的稳定增长。为应对市场波动情况,e络盟采取了一系列有效措施,例如:与企业合作伙伴合作解决全球供应短缺问题,这也是e络盟本季度业
6月7日晚间,三安光电发布公告称,公司与半导体龙头公司意法半导体签署协议,拟在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。同时,三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 公告显示,该合资项目公司将由三安光电控股,暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”,其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%,意法半导体(中国)投资有限公司持股49%。项目预计投资总额达32 亿美元,待监管部门批准后即开工建设,计划于2025 年第四季度开始生产,预计将于 2028 年全面落成,将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术,达产后可生产8吋碳化硅晶圆10000片/周。 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计
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