如果将 PN 结加正向电压，即 P 区接正极， N 区接负极，如左图所示。由于外加电压的电场方向和 PN 结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，米乐 M6米乐使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过 PN 结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见 PN 结正向导电时，其电阻是很小的（内阻）。而对 PN 结施加反向电压即 P 区接负、 N 区接正，米乐 M6米乐此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过 PN 结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此， PN 结在反向电压下，其电阻是很大的，这也是半导体作为电子开关的利用特性。

　　1、整流器件选型时，先计算出电流和电压参数要求。但在实际应用中，考虑到电网波动、计算误差、产品使用场所、外壳材料、散热材料和空间等各种因素，型号选用时为了安全考虑，通常会选用计算参数1.2-2-3倍左右的整流器件。

　　2、考虑到整流器件本身功耗的问题，相同电流电压的情况下，选VF和IR均偏小的整流器件，可降低器件功耗提高效率。

　　3、另外，Trr过大也会造成恢复时间过长产生叠加功耗和延时。同时反向恢复时间直接影响整流器件的最大工作频率，因此，高频整流器件对Trr的要求严格，由此发展出快恢复整流二极管、肖特等Trr较小的的器件。

　　4、因此，输入端（前端）的整流器件低频的较多，对Trr的要求相对低点，输出端（后端）对Trr要求较高，多采用快恢复或肖特基整流，甚至采用MOS产品作为整流器件。米乐M6 米乐米乐M6 米乐