称为阳极和阴极。根据这两个端子之间的电位差,二极管的操作可以分为两种方式:
不同类型的二极管有不同的电压要求。对于硅二极管,正向电压为0.7V,对于锗二极管,正向电压为0.3V。通常,在硅二极管中,二极管一端的暗带表示阴极端子,另一端是阳极。
二极管的主要应用之一是整流,即将交流电转换为直流电。由于二极管只允许电流在一个方向上流动,而阻止电流在另一个方向上流动,因此二极管用于反极性保护器和瞬态保护器应用。
它是一种具有不成比例特性的小型设备,其应用主要涉及高频和极低电流应用,例如收音机和电视等。为了保护二极管免受污染,它被玻璃包裹,因此也被称为玻璃钝化二极管。这种类型的流行二极管之一是 1N4148。
外观方面,与功率二极管相比,信号二极管非常小。为了指示阴极端子,一个边缘用黑色或红色标记。对于高频应用,小信号二极管的性能非常有效。
相对于其他功能,信号二极管通常具有较小的载流能力和功耗。通常,它们分别在150mA和500mW的范围内。
小信号二极管可以由硅或锗型半导体材料制成,但二极管的特性因掺杂材料而异。
小信号二极管用于通用二极管应用、高速开关、参数放大器和许多其他应用。小信号二极管的一些重要特性是:
峰值反向电压 (V公关) – 这是二极管击穿之前可以施加到二极管的最大反向电压。
这些二极管具有较大的PN结层。因此,它们通常用于整流,即将交流电转换为直流电。大PN结还增加了二极管的正向载流能力和反向阻断电压。大信号二极管不适合高频应用。
这些二极管的主要应用是电源(整流器、转换器、逆变器、电池充电设备等)。在这些二极管中,正向电阻的值为几欧姆,反向阻断电阻的值为兆欧姆。
它是一种在“齐纳击穿”原理下工作的无源元件。它由克拉伦斯齐纳于1934年首次生产,在正向偏置条件下类似于普通二极管,即它允许电流流动。
但在反向偏置条件下,二极管仅在施加的电压达到击穿电压时导通,称为齐纳击穿。它旨在防止其他半导体器件产生瞬时电压脉冲。它充当电压调节器。
这些二极管将电能转换为光能。1968年开始首次生产。它经历电致发光过程,其中空穴和电子重新结合以正向偏置条件下以光的形式产生能量。
在早期,LED非常昂贵,并且仅用于特殊应用。但多年来,LED的成本已经大幅下降。这一点以及它们非常节能的事实,使LED成为家庭,办公室,街道(用于街道照明以及交通信号灯),汽车,手机的主要照明源。
它也被称为电流调节二极管或限流二极管或二极管连接的晶体管。二极管的功能是调节特定电流下的电压。
它用作两端电流限制器。在这种情况下,JFET充当限流器以实现高输出阻抗。恒流二极管符号如下所示。
在这种类型的二极管中,结是通过半导体材料与金属接触而形成的。因此,正向压降降至最低。半导体材料是N型硅,充当阳极和金属,如铬,铂,钨等。充当阴极。
由于金属结,这些二极管具有高导流能力,因此减少了开关时间。因此,肖特基二极管在开关应用中有更大的用途。主要是因为金属-半导体结,压降低,这反过来又提高了二极管性能并降低了功率损耗。因此,这些用于高频整流器应用。肖特基二极管的符号如下所示。
它是最早发明的半导体器件之一。肖克利二极管有四层。它也被称为PNPN二极管。它等于没有栅极端子的晶闸管,这意味着栅极端子是断开的。由于没有触发输入,二极管可以导通的唯一方法是提供正向电压。
一旦它打开“,它就会保持打开状态,一旦它关闭”它就会保持关闭状态。二极管有两种工作状态导通和非导通。在不导电状态下,二极管以较低的电压导通。
它也被称为弹断二极管或电荷存储二极管。这些是特殊类型的二极管,它存储来自正脉冲的电荷并用于正弦信号的负脉冲。电流脉冲的上升时间等于快照时间。由于这种现象,它具有速度恢复脉冲。
这些二极管的应用是高阶乘法器和脉冲整形电路。这些二极管的截止频率非常高,接近千兆赫兹量级。
作为乘法器,该二极管的截止频率范围为200至300 GHz。在 10 GHz 范围内执行的操作中,这些二极管起着至关重要的作用。对于低阶乘法器,效率很高。该二极管的符号如下所示。
它用作高速开关,开关速度约为几纳秒。由于隧穿效应,它在微波频率区域具有非常快的操作。它是一种双端装置,其中掺杂剂浓度过高。
瞬态响应受到结电容和杂散布线电容的限制。主要用于微波振荡器和放大器。它充当最负电导的设备。隧道二极管可以进行机械和电气调谐。隧道二极管的符号如下图所示。
这些也被称为变电容二极管。它的作用类似于可变电容器。操作主要仅在反向偏置状态下执行。这些二极管非常有名,因为它能够在恒压流下改变电路内的电容范围。
它们能够改变电容至高值。在变容二极管中,我们可以通过改变反向偏置电压来减少或增加耗尽层。这些二极管有许多应用,可用作手机的压控振荡器、卫星预滤波器等。变容二极管的符号如下。
类似于LED的有源区域由p-n结形成。电激光二极管是 P-I-N 二极管,其中有源区域位于固有区域。用于光纤通信,条形码阅读器,激光指示器,CD / DVD /蓝光读取和记录,激光打印。
量子级联激光器:这些是异质结激光器,可以在相对较长的波长下进行激光作用。
分离约束异质结构激光器:为了补偿量子激光器中的薄层问题,我们使用单独的约束异质结构激光器。
在半导体器件中,由于状态电压的突然变化,会发生瞬变。它们会损坏设备的输出响应。为了克服这个问题,使用了电压抑制二极管。电压抑制二极管的操作类似于齐纳二极管的操作。
这些二极管的工作与p-n结二极管一样正常,但在瞬态电压时其工作会发生变化。在正常情况下,二极管的阻抗很高。当电路中出现任何瞬态电压时,二极管进入提供低阻抗的雪崩击穿区域。
这是非常自发的,因为雪崩击穿持续时间以皮秒为单位。瞬态电压抑制二极管将电压箝位到固定电平,其箝位电压大多在最小范围内。
这些在电信领域、医疗、微处理器和信号处理领域都有应用。它对过电压的响应速度比压敏电阻或气体放电管快。
在这些二极管中,金被用作掺杂剂。这些二极管比其他二极管快。在这些二极管中,反向偏置条件下的漏电流也较小。即使在较高的压降下,它也允许二极管在信号频率下工作。在这些二极管中,金有助于少数载流子的更快重组。
它是一种整流二极管,具有低正向压降作为肖特基二极管,具有浪涌处理能力和低反向漏电流作为P – N结二极管。它专为高功率、快速开关和低损耗应用而设计。超级势垒整流器是下一代正向电压低于肖特基二极管的整流器。
在这种类型的二极管中,它在半导体的双材料结处产生热量,半导体从一个端子流向另一个端子。此流动仅在单个方向上完成,与电流流动的方向相同。
这种热量是由于少数电荷载流子的复合产生的电荷而产生的。这主要用于冷却和加热应用。这种类型的二极管用作热电冷却的传感器和热机。
这也被称为猫须,它是一种点接触二极管。其操作取决于半导体晶体与点之间的接触压力。
在这种情况下,存在一根金属线,它被压在半导体晶体上。其中,半导体晶体充当阴极,金属线充当阳极。这些二极管本质上已经过时。主要用于微波接收器探测器。
这些二极管专门设计用于在特定反向电压下击穿,以防止损坏。雪崩二极管的符号如下所示:
噪声产生:它充当天线分析仪桥的射频源,也用作白噪声发生器。用于无线电设备以及
1.正向阻塞模式(关断状态):在此J1和J3中正向偏置,J2反向偏置。它在击穿电压以下提供高电阻,因此被称为关断状态。
2.正向导通模式(导通状态):通过增加阳极和阴极的电压或在栅极施加正脉冲,我们可以打开。要关闭唯一的方法是减少流过它的电流。
3.反向阻断模式(关断状态):SCR阻断反向电压称为非对称SCR。 多用于
如果阴极涂有氧化物材料,则电子发射能力很高。阳极的尺寸有点长,在某些情况下,它们的表面很粗糙,以降低二极管中产生的温度。二极管仅在一种情况下导通,即阳极相对于阴极端子为正时。该符号如图所示:
N二极管。在PIN二极管中不需要掺杂。将本征材料,即没有电荷载流子的材料插入P和N区域之间,这增加了耗尽层的面积。当我们施加正向偏置电压时,空穴和电子将被推入本征层。在某些时候,由于这种高注入水平,电场也会通过本征材料传导。此字段使载流子从两个区域流动。PIN二极管的符号如下图所示:
射频开关:PIN二极管用于信号和组件选择。例如,PIN二极管在低相位噪声振荡器中充当距离开关电感器。
探测器:它检测X射线. 点接触设备金线或钨丝用作点触点,通过高电流通过PN结区来产生PN结区。在连接到金属板的导线边缘周围产生一小块PN结区域,如图所示。
冈恩二极管仅由n型半导体材料制成。两种N型材料的耗尽区非常薄。当电路中的电压增加时,电流也会增加。在一定水平的电压之后,电流将呈指数级下降,因此表现出负差分电阻。
在半导体器件中,PN结是最基本的半导体结构。如果将PN半导体封装起来,就形成了
就是一个具有单相导电性的PN结,但是在实际工程应用中,不同应用场景的需求诞生了不
的应用范围广,种类也很多,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能,特别是反向恢复特性的不同,
符号工作状态击穿分类重要参数典型电路和定性分析限流电阻的计算常见应用瞬态抑制
符号工作状态击穿分类重要参数典型电路和定性分析限流电阻的计算常见应用瞬态抑制
具有自己特定的电气特性。所有电子设备都是如此。它们由独特的电气特性定义,即使可能有不同的结构、
(limiting diode),是一种用于限制电压波形幅值的电路元件。
有不同的特性参数。星海一级代理商鑫环电子贴心提醒,对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
,它们的主要特点是可以承受较大的电流和功率。根据不同的用途和规格要求,功率
如今在我们日常生活中可以说基本上离不开电子产品。其中每一类电子产品的构成中存在一个十分重要的电子元器件:
有两个管脚,一个是正极一个是负极,它最大的特性是单向导电性,既电荷只能由正极流向负极。
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